IC Compile rでは通常使用する配線長に制約はない.意図的に制約を設けたいときは,
set_max_length オプションを使用することができる.
> set_max_length integer design
このオプションは設計者がトップレベルで配線バッファを挿入することを想定しているので,バッファ挿入コマンド create_buffer_tree と併用することが想定されている.
> set_max_length integer design
> create_buffer_tree -on_route
create_buffer_tree コマンドを実行するとバッファの挿入と配線がされてしまうので,配線を後でしたい場合は -skip_detail_route オプションをつけるとよい.
2020年8月23日日曜日
2020年8月21日金曜日
Calibre で cell is referenced but not defined とエラーが出る
Calibre LVS で
ERROR: Cell cellname is referenced but not defined
と表示されて LVS が止まる場合,GDS 中で参照されているセルのレイアウトが空である可能性がある.例えば参照している Milkyway が参照している Milkyway (孫)の参照が切れた状態で GDS を出力すると,孫に格納されていた Cell View が読み取れず空のレイアウトができてしまい,LVS が実行できなくなる.
とりあえず動かしたい場合は,空の GDS を参照しているマクロを GDS とソースネットから削除すれば LVS が動くようになる.
ソースネットではなくて GDS に問題があるので注意.なお DRC でも同じ違反がでます.
ERROR: Cell cellname is referenced but not defined
と表示されて LVS が止まる場合,GDS 中で参照されているセルのレイアウトが空である可能性がある.例えば参照している Milkyway が参照している Milkyway (孫)の参照が切れた状態で GDS を出力すると,孫に格納されていた Cell View が読み取れず空のレイアウトができてしまい,LVS が実行できなくなる.
とりあえず動かしたい場合は,空の GDS を参照しているマクロを GDS とソースネットから削除すれば LVS が動くようになる.
ソースネットではなくて GDS に問題があるので注意.なお DRC でも同じ違反がでます.
2020年8月12日水曜日
2020年8月4日火曜日
Calibre xRC/xACT の出力ファイルを1つにまとめる
Calibre xRC/xACTの出力ファイルは,なぜか3つのファイルが出力される.手動でまとめてもよいが,Calibreのルールファイル中のネットリスト名指定時に SINGLEFILE オプションを与える事ではじめから1つのファイルに設定することができる.
PEX NETLIST "CELLNAME.spi" HSPICE 1 SOURCENAMES SINGLEFILE
PEX NETLIST "CELLNAME.spi" HSPICE 1 SOURCENAMES SINGLEFILE
2020年8月1日土曜日
BSIM-CMGでトランジスタ特性をばらつかせる
BSIM-CMGでトランジスタ特性をばらつかせるには,以下のモデルパラメータが利用できる.DELVTRAND,U0MULT,ISD0MULT以外はモデルパラメータとしてあらかじめ存在しているものである.
パラメータ:初期値:説明
DTEMP :0 K:デバイスの温度シフト量
DELVTRAND:0 V :閾値電圧シフト量
U0MULT:1.0 :移動度の係数
IDS0MULT:1.0 :ソースドレイン間チャネル電流の係数
TFIN:15e-9 m:Finの厚み
FPITCH:80e-9 m:Finピッチ
XL:0.0 m:マスク/エッチによるゲート長シフト量
NBODY:1e-22 m-3:チャネルドープ濃度
EOT:1e-9 m :実効ゲート酸化膜厚
TOXP:1.2e-9 m:実ゲート酸化膜厚
RSHS:0.0 Ω:ソースシート抵抗
RSHD:0.0 Ω:ドレインシート抵抗
RHOC:1e-12 Ω-m^2:シリコンシリサイド界面のコンタクト抵抗
RHORSD:計算される:ソースドレインの盛り上がり部の平均抵抗
Reference: BSIM-CMG 110.0.0 Multi-Gate MOSFET Compact Model Technical Manual, 2015
パラメータ:初期値:説明
DTEMP :0 K:デバイスの温度シフト量
DELVTRAND:0 V :閾値電圧シフト量
U0MULT:1.0 :移動度の係数
IDS0MULT:1.0 :ソースドレイン間チャネル電流の係数
TFIN:15e-9 m:Finの厚み
FPITCH:80e-9 m:Finピッチ
XL:0.0 m:マスク/エッチによるゲート長シフト量
NBODY:1e-22 m-3:チャネルドープ濃度
EOT:1e-9 m :実効ゲート酸化膜厚
TOXP:1.2e-9 m:実ゲート酸化膜厚
RSHS:0.0 Ω:ソースシート抵抗
RSHD:0.0 Ω:ドレインシート抵抗
RHOC:1e-12 Ω-m^2:シリコンシリサイド界面のコンタクト抵抗
RHORSD:計算される:ソースドレインの盛り上がり部の平均抵抗
Reference: BSIM-CMG 110.0.0 Multi-Gate MOSFET Compact Model Technical Manual, 2015