BSIM-CMGでトランジスタ特性をばらつかせる

BSIM-CMGでトランジスタ特性をばらつかせるには，以下のモデルパラメータが利用できる．DELVTRAND，U0MULT，ISD0MULT以外はモデルパラメータとしてあらかじめ存在しているものである．

パラメータ：初期値：説明
DTEMP ：0 K：デバイスの温度シフト量
DELVTRAND：0 V ：閾値電圧シフト量
U0MULT：1.0 ：移動度の係数
IDS0MULT：1.0 ：ソースドレイン間チャネル電流の係数
TFIN：15e-9 m：Finの厚み
FPITCH：80e-9 m：Finピッチ
XL：0.0 m：マスク/エッチによるゲート長シフト量
NBODY：1e-22 m-3：チャネルドープ濃度
EOT：1e-9 m ：実効ゲート酸化膜厚
TOXP：1.2e-9 m：実ゲート酸化膜厚
RSHS：0.0 Ω：ソースシート抵抗
RSHD：0.0 Ω：ドレインシート抵抗
RHOC：1e-12 Ω-m^2：シリコンシリサイド界面のコンタクト抵抗
RHORSD：計算される：ソースドレインの盛り上がり部の平均抵抗

Reference: BSIM-CMG 110.0.0 Multi-Gate MOSFET Compact Model Technical Manual, 2015